Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

• 作者: 孙永科 宗婉华 王孙涛 秦国刚 衡成林 马振昌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电致发光 纳米双势垒 高斯型发光峰 雪崩击穿
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 1404-1408
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.039

摘要

利用射频磁控溅射方法,在n+-Si衬底上淀积SiO2/Si/SiO2纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n+-Si衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n+-Si结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所有样品都在反向偏置(n+-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV(670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是:反向偏压下的强电场使Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构发生了雪崩击穿,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复合而发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙永科	北京大学物理系	3	11	2.0	3.0
2	衡成林	北京大学物理系	3	4	1.0	2.0
3	王孙涛	北京大学物理系	3	3	1.0	1.0
4	秦国刚	北京大学物理系	20	128	6.0	10.0
5	马振昌	信息产业部第十三研究所砷化镓集成电路国家重点实验室	5	27	3.0	5.0
6	宗婉华	信息产业部第十三研究所砷化镓集成电路国家重点实验室	3	11	2.0	3.0