抗核辐照功率晶体管GAT优化设计的必要条件

• 作者: 吴丽清 庄宝煌 张志鹏 朱梓忠 李开航 黄美纯
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 GAT 优化设计
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 163-168
• 页数: 6页
• 分类号: TN323.4|TN323.8
• 字数: 3805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2000.02.005

摘要

通过关于电力半导体器件GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型定量研究了优化设计GAT的工艺参数和结构参数的关系,即抗核辐照器件GAT的优化设计必要条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄宝煌	厦门大学物理学系	8	13	2.0	3.0
2	黄美纯	厦门大学物理学系	35	129	7.0	8.0
3	朱梓忠	厦门大学物理学系	50	186	7.0	10.0
4	张志鹏	厦门大学物理学系	7	14	2.0	3.0
5	李开航	厦门大学物理学系	31	74	5.0	6.0
6	吴丽清	厦门大学物理学系	4	5	2.0	2.0