双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延

• 作者: 包宗明 叶志镇 李爱珍 王瑾 竺士炀 黄宜平 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 超高真空化学气相淀积 硅外延
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 979-983
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.10.007

摘要

报道了采用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术.研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及外延前对多孔硅进行长时间的低温真空预处理等工艺.对获得的外延层作了XRD、XTEM和扩展电阻等测量，测量结果表明硅外延层单晶性好，并和硅衬底、多孔硅层具有相同的晶向.硅外延层为P型，电阻率大于100Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	黄宜平	复旦大学电子工程系	39	270	10.0	14.0
3	包宗明	复旦大学电子工程系	11	24	4.0	4.0
4	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
5	李爱珍	复旦大学电子工程系	4	35	4.0	4.0
6	王瑾	复旦大学电子工程系	21	199	8.0	14.0
7	竺士炀	复旦大学电子工程系	8	59	4.0	7.0