GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究

• 作者: 姚冬敏 彭学新 江风益 熊传兵 王立
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 离子束沟道 补偿度
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 109-114
• 页数: 6页
• 分类号: O473
• 字数: 3639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.02.006

摘要

用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能.结果表明:GaN薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χmin和其补偿度存在一定的依赖关系.补偿度小的样品,其χmin小;随着样品补偿度的增大,χmin也逐渐增大;但它们之间的关系变化是非线性的.对这些结果给予了一定的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
2	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
3	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
4	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
5	姚冬敏	南昌大学材料科学研究所	9	86	5.0	9.0