低压限流断路器背后击穿现象的数值模拟研究

• 作者: 陈德桂 陈旭
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 断路器 电弧 背后击穿
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 16-19,60
• 页数: 5页
• 分类号: TM561.1
• 字数: 381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-8013.2000.03.005

摘要

低压限流断路器是广泛应用于工业与民用的低压电器.它采用多个栅片的灭弧室,利用近极压降将进入到灭弧室中的电弧电压提升到一个较高的值,从而在开断电路的同时还起到对短路电流的限制.但目前发现在开断过程中电弧反复进出灭弧栅片的背后击穿现象引起电弧电压的突降,降低了开断性能.根据实际开断物理过程,建立了以热击穿为主的背后击穿物理模型,运用气流场,结合热场、磁场与电流分布,计算模拟了低压限流断路器在开断过程中电弧运动状况与背后击穿现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈德桂	西安交通大学电器教研室	222	4512	37.0	56.0
2	陈旭	西安交通大学电器教研室	21	130	7.0	11.0