埋沟CCD器件工作状态的设计

• 作者: 张坤 李仁豪
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 埋沟CCD 工作状态 设计
• 年，卷（期）: 2000,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 3621字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.z1.012

摘要

文章针对埋沟CCD器件的设计，详细介绍了CCD的工作状态及器件性能参数的设计考虑。对工作在不同状态的CCD，着重讨论了其信号容量、低噪声读出、工作速度等参数及其限制。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李仁豪		24	60	5.0	6.0
2	张坤		12	64	6.0	7.0