硅基PZT铁电薄膜的界面和表面研究

• 作者: 任天令 刘理天 张林涛 张琪 朱静 李志坚
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 高分辨透射电镜 溶胶-凝胶 PZT铁电薄膜
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 316-318
• 页数: 3页
• 分类号: TM22.1|TN43
• 字数: 2223字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2000.05.011

摘要

用高分辨透射电镜等手段研究了溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备的硅基Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜,发现在PZT的上表面生成了SiO2,PZT与硅衬底的界面处形成了无定型的SiOx层并有铅的沉积,而且热处理温度越高,这种现象越显著.这些结构严重影响了PZT铁电薄膜的品质及其应用.在分析上述结构产生机制的基础上提出了Sol-Gel工艺的改进方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张琪	清华大学材料科学与工程研究院	25	286	10.0	16.0
2	刘理天	清华大学微电子所	230	1519	19.0	23.0
3	朱静	清华大学材料科学与工程研究院	80	1002	16.0	29.0
4	任天令	清华大学微电子所	87	600	13.0	19.0
5	李志坚	清华大学微电子所	84	451	11.0	15.0
6	张林涛	清华大学微电子所	10	68	5.0	7.0