单电子器件Ⅰ-Ⅴ特性的半经曲拟合

• 作者: 何红波 周继承 李义兵 胡慧芳
• 来源期刊: 长沙铁道学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子器件 主方程
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TU473.1+4
• 字数: 2312字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7029.2000.02.013

摘要

本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上，通过对主主程的数值求解，对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合．单电子器件的半经典拟合对于单电子器件的设计有很大的指导作用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡慧芳	长沙铁道学院材料研究所	17	104	3.0	10.0
2	李义兵	长沙铁道学院材料研究所	19	37	3.0	4.0
3	何红波	长沙铁道学院材料研究所	28	66	5.0	6.0
4	周继承	长沙铁道学院材料研究所	19	27	3.0	3.0