用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率

• 作者: 叶邦角 周先意 周永钊 张天昊 张宪锋 朱凯 杜江峰 韩荣典
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 正电子迁移率 杂质 慢正电子 S参数
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 209-212
• 页数: 4页
• 分类号: O474
• 字数: 2269字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.04.001

摘要

用单能慢正电子束流作为探针,测量了P型Si中不同B杂质浓度的正电子湮没S 参数和正电子能量的函数关系.在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律,观察到杂质的掺入不影响缺陷的开体积,但正电子在硅中的迁移率随杂质浓度的增加而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶邦角		40	166	7.0	12.0
2	周先意		32	128	7.0	10.0
6	韩荣典		23	125	6.0	10.0
7	周永钊		25	42	3.0	4.0
8	张宪锋		8	98	4.0	8.0
9	朱凯		8	12	2.0	3.0
10	张天昊		3	3	1.0	1.0
11	杜江峰		23	132	6.0	11.0