CVD法沉积金刚石薄膜中成核与生长的势垒研究

• 作者: 严辉 宋雪梅 张兴旺 张生俊 王波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石薄膜 CVD 成核 生长
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 280-284
• 页数: 5页
• 分类号: O781
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.03.014

摘要

探明成核与生长的机理对于沉积高质量金刚石薄膜是十分重要的.本文采用PM3方法,计算了化学汽相沉积金刚石薄膜成核与生长阶段反应势垒.研究了对于不同反应气体(甲烷和乙炔)脱氢和增加沉积基团势垒的差异.结果说明,无论是成核阶段,还是生长阶段,脱氢势垒都小于加生长基团的势垒.然而,增加乙炔基的势垒大于增加甲基的势垒,这可能是因为乙炔分子必须打开C≡C键才能沉积到衬底表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料科学与工程学院	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料科学与工程学院	80	638	11.0	23.0
3	宋雪梅	北京工业大学材料科学与工程学院	44	498	11.0	21.0
4	张生俊	北京工业大学材料科学与工程学院	7	43	4.0	6.0
5	张兴旺	北京工业大学材料科学与工程学院	3	10	2.0	3.0