电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论

• 作者: 何进 张兴 杜彩霞 王新 韩磊 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 穿通结构 电导调制 优化设计
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 786-791
• 页数: 6页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 2968字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.08.011

摘要

通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析,提出了电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化设计解析理论:对于电导调制功率器件用的各种穿通结构,只要其耐压基区的厚度选择为同衬底浓度突变结击穿时的耗尽层宽度的最佳分割长度,即穿通因数F等于4,就可使外延基区的厚度为最小.同时,该耐压基区的击穿电压为最大.运用该理论的结果,得出了此类应用的基区优化设计公式,并将计算结果与一些文献的设计值进行了比较,纠正了先前计算的不准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王新	电子科技大学微电子所	9	55	4.0	7.0
4	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0
5	韩磊	电子科技大学微电子所	7	42	4.0	6.0
6	杜彩霞	电子科技大学微电子所	1	7	1.0	1.0