产额大于1.5×1010n/s中子管引出/加速系统的物理设计

• 作者: 李忠民 李文杰 田生军 董艾平
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 引出/加速系统 结构优化 产额
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 101-104
• 页数: 4页
• 分类号: O571.53
• 字数: 1187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.02.009

摘要

根据高产额(>1.5×1010n/s)中子管对引出/加速系统的要求,完成了在180kV引出/加速电压下,加速离子束流1.1mA的新型屏蔽式引出/加速系统的物理设计,与普通中子管比较,加速电压增加50%,束流增加一个数量级,中子产额增加一个数量级,实现了系统的结构优化.经长期实践考验证明,系统的物理设计合理,为更高产额中子管的研制奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李忠民		4	6	1.0	2.0
2	李文杰		3	30	2.0	3.0
3	董艾平		1	0	0.0	0.0
4	田生军		1	0	0.0	0.0