遗传算法在单电子器件I-V特性的半经典拟合中的应用

• 作者: 何红波 周继承 李义兵 胡慧芳
• 来源期刊: 量子电子学报
• 关键词: 单电子器件 主方程 遗传算法
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 75-80
• 页数: 6页
• 字数: 4025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.015

摘要

本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,采用 遗传算法通过对主方程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶 现象进行了拟合。我们发现该算法的拟合结果效果很好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡慧芳	长沙铁道学院材料研究所	17	104	3.0	10.0
2	李义兵	长沙铁道学院材料研究所	19	37	3.0	4.0
3	何红波	长沙铁道学院材料研究所	28	66	5.0	6.0
4	周继承	长沙铁道学院材料研究所	19	27	3.0	3.0