功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法

• 作者: 唐本奇 王燕萍 耿斌 陈晓华
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOS器件 单粒子栅穿 电路模拟
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 77-81
• 页数: 5页
• 分类号: TL99
• 字数: 2396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2000.01.014

摘要

根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	王燕萍		11	66	6.0	7.0
3	耿斌		10	60	6.0	7.0
4	陈晓华		11	87	6.0	9.0