Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

• 作者: 李爱珍 汪乐 王嘉宽 胡雨生 陈晓杰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 器件工艺 AlGaAs/GaAs
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 339-341,345
• 分类号: TM914.4|TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.05.010

摘要

报道了优化的p-n型Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺.分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极,并分别在450 ℃和350 ℃下快速合金化形成欧姆接触.采用NH4OH:H2O2:H3PO4:H2O体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的GaAs接触层.采用真空蒸发技术制备ZnS/MgF2双层复合减反射层.测试结果表明,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李爱珍	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
2	王嘉宽	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	3	16	2.0	3.0
3	陈晓杰	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	4	14	2.0	3.0
4	胡雨生	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	1	7	1.0	1.0
5	汪乐	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	4	18	3.0	4.0