ULSI制备中铈在SiO2介质CMP抛光中的作用研究

• 作者: 刘玉岭 刘立威 吴建明 檀柏梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: ULSI 化学机械抛光 全局平面化 Ce离子抛光浆
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2092字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.05.012

摘要

对ULSI制备中铈(Ce)在Si02介质的CMP中的应用及对Ce胶体抛光液的制备进行了较为深入的实验研究,并对提高抛光效果进行了大量实验.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	刘立威	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
4	吴建明	河北工业大学微电子研究所	1	4	1.0	1.0