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摘要:
为适应光谱分割技术的需求,我们采用InGaAsP/InP单量子阱外延片,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成,制得了1.3 μm长波长超辐射集成光源,取得了初步的实验结果,验证了这种长波长集成器件的可行性.脉冲输出功率与传统长波长超辐射发光管相比有很大的提高.半导体光放大器的增益达到19 dB.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 长波长超辐射集成光源
来源期刊 光电子·激光 学科 工学
关键词 超辐射发光管 半导体光放大器 单片集成
年,卷(期) 2000,(1) 所属期刊栏目 "八六三"高技术项目
研究方向 页码范围 26-28
页数 3页 分类号 TN929.11
字数 209字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-0086.2000.01.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘杨 吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室 25 134 6.0 10.0
2 刘琨 吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室 7 25 2.0 5.0
3 宋俊峰 吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室 9 41 3.0 6.0
4 殷景志 吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室 15 62 4.0 7.0
5 康博南 吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室 8 23 2.0 4.0
6 杜国同 吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室 41 204 8.0 13.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
超辐射发光管
半导体光放大器
单片集成
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电子·激光
月刊
1005-0086
12-1182/O4
大16开
天津市南开区红旗南路263号
6-123
1990
chi
出版文献量(篇)
7085
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11
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