高功率无铝半导体激光器

• 作者: 任大翠 张兴德 杨进华
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 高功率 量子阱 分别限制异质结构
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 80-84
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 4999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.02.003

摘要

InGaAsP/GaAs激光器能抑制暗线缺陷的形成,器件的突然失效及缓慢退化有所减少.研究表明,高功率无铝半导体激光器比有铝的AlGaAs/GaAs激光器具有更高的可靠性.文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点,介绍了波长为808nm的高功率无铝半导体激光器的发展及国内外目前的研究状况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨进华	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	9	27	3.0	4.0
2	张兴德	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	21	81	5.0	8.0
3	任大翠	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	6	33	3.0	5.0