砷化镓材料发展和市场前景

• 作者: 陈坚邦
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓材料 器件 市场
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 208-217
• 页数: 10页
• 分类号: TG146
• 字数: 7460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2000.03.011

摘要

综述世界GaAs材料器件的产销情况、市场前景及GaAs材料的发展趋势. 预测2000年GaAs IC用于通讯将占GaAs IC市场的71%, 并以年均增长率15%的速度发展. 发光器件1999年增长12%, 其中激光器件增幅最大, 达16%. GaAs材料电子器件和光电器件的比例约为2∶3. 对大直径 (Φ76 mm以上)、低位错、低热应力、高质量的GaAs单晶有较大的需求量. VB、 VGF和VCZ是满足这些要求的最佳GaAs单晶生长方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈坚邦		7	77	4.0	7.0