掺铒a-Si:H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构

• 作者: 梁建军 王永谦 陈维德
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铒 a-Si:H,O薄膜 光致发光
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 988-992
• 页数: 5页
• 分类号: O482.3
• 字数: 3441字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.10.009

摘要

采用等离子化学气相淀积方法，改变SiH4和N2O的流量比制备含有不同氧浓度的a-Si：H,O薄膜.用离子注入方法掺入铒，经300一935℃快速热退火，在波长1.54μm处观察到很强的室温光致发光.氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度，并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系，不是单调地随氧含量的增加而增强.研究了掺铒a-Si:H,O薄膜和微结构，讨论了发光强度与薄膜微结构的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永谦	中国科学院半导体研究所	9	59	5.0	7.0
5	梁建军	中国科学院半导体研究所	5	14	2.0	3.0