微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷

• 作者: MA Mianjun 吴忠华 奎热西 巨新 李毅军 王宝义 王文华 谈晓臣 马勉军 魏龙
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 微重力 缺陷 碲镉汞
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 页码范围: 381-383
• 页数: 3页
• 分类号: O571.23|O77+1
• 字数: 1837字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.06.007

摘要

采用正电子湮没寿命谱方法，对空间微重力及重力条件下生长的碲镉汞(MCT)材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明，在空间微重力条件下生长的MCT晶体中，其空位型缺陷浓度低于地球上有重力条件下生长的晶体，并且缺陷浓度沿轴向的分布比较均匀。