85 MeV19F离子辐照InP正电子湮没研究

• 作者: 徐勇军 朱升云 王荣 黄龙
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: InP 19F离子 辐照效应 正电子湮没
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 259-261
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.03.011

摘要

用正电子湮没寿命技术研究了注量为1.6×1016 cm-2的85 MeV 19F离子辐照InP产生的辐照效应.实验表明辐照在InP中产生单空位型缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐勇军	中国原子能科学研究院核物理研究所	16	25	3.0	4.0
2	朱升云	中国原子能科学研究院核物理研究所	17	44	4.0	5.0
3	王荣	中国原子能科学研究院核物理研究所	6	10	2.0	3.0
4	黄龙	中国原子能科学研究院核物理研究所	2	2	1.0	1.0