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摘要:
采用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了n型掺杂的应变InGaAs/A1GaAs多量子阱结构,制作成3-5μm波段的量子阱红外探测器,响应峰值波长λp=4.2μm,响应带宽可达△λ/λ=50%,500K黑体探测率DBB(500,1000,1)达1.7×1010cm@Hz1/2/W.
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文献信息
篇名 宽带3-5μm量子阱红外探测器的研制
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 量子阱红外探测器 探测率 InGaAs/AlGaAs
年,卷(期) 2000,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1220-1223
页数 4页 分类号 TN215
字数 3032字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周均铭 中国科学院物理研究所 29 95 6.0 8.0
2 黄绮 中国科学院物理研究所 26 106 7.0 9.0
3 李宏伟 中国科学院物理研究所 41 477 10.0 21.0
4 李卫 中国科学院物理研究所 17 40 3.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
量子阱红外探测器
探测率
InGaAs/AlGaAs
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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