硼硅玻璃掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

• 作者: 付明 周东祥 王礼琼 解战英 龚树萍
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硼硅玻璃 压敏电阻器 电性能
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-2
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 1715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2000.03.001

摘要

研究结果表明,硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏电场上升.当玻璃料含量占初始配方总质量的5%时,压敏电场最小,非线性系数最小,漏电流最大;当玻璃料含量占5%～10%时,随玻璃料掺入量的增加,非线性系数明显上升,漏电流迅速减小,压敏电场迅速上升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚树萍	华中理工大学电子科学与技术系	23	390	11.0	19.0
2	周东祥	华中理工大学电子科学与技术系	33	486	13.0	21.0
3	付明	华中理工大学电子科学与技术系	6	49	4.0	6.0
4	王礼琼	华中理工大学电子科学与技术系	3	16	2.0	3.0
5	解战英	华中理工大学电子科学与技术系	1	10	1.0	1.0