Si基热氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室温光致发光特性

• 作者: 刘夏冰 朱顺明 江若琏 程雪梅 罗志云 臧岚 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si1-x-yGexCy薄膜 湿氧氧化 室温光致发光
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 677-681
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 3334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.010

摘要

采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si1-x-yGex/Cy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min.在室温下观测到强烈的光致发光.室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示,800℃下氧化后的样品在370nm和396nm附近有两个光致发光带,1100℃下氧化后的样品只在396nm附近有一个光致发光带.396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷O-Si-O(Si20)或O-Ge-O(Ge20)引起的,而370nm附近的发光带与薄膜中Ge-C对发光中心有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
2	朱顺明	南京大学物理系	20	72	5.0	7.0
3	刘夏冰	南京大学物理系	5	10	2.0	3.0
4	江若琏	南京大学物理系	11	57	5.0	7.0
5	臧岚	南京大学物理系	5	9	2.0	3.0
6	韩平	南京大学物理系	22	92	6.0	9.0
7	罗志云	南京大学物理系	4	7	2.0	2.0
8	程雪梅	南京大学物理系	4	9	2.0	3.0