SiCp/ZL109复合材料中SiC的界面行为

• 作者: 欧阳柳章 罗承萍 隋贤栋 骆灼旋
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiCP/ZL109复合材料 SiC/Al界面 SiC/Si界面 晶体学位向关系 界面Si 亚晶铝带
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 65-70
• 页数: 6页
• 分类号: TB331|TG111
• 字数: 4689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3851.2000.01.015

摘要

以常规TEM为工具,研究了SiCP/ZL109复合材料中数十个SiC颗粒及其界面,Si优先在SiC表面上形核、长大,形成界面Si,并形成大量SiC/Si界面.靠近SiC界面的Al基体中,普遍存在一层厚度小于1μm的"亚晶铝带",其内有大量位错.SiC与Al、SiC与Si之间虽然没有固定的晶体学位向关系,但是存在下列优先关系:(103)SiC//(111)Al,[110]SiC//[110]Al;(101)SiC//(111)Si;[110]SiC//[11]Si.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	隋贤栋	华南理工大学机电工程系	37	664	15.0	25.0
2	罗承萍	华南理工大学机电工程系	80	1286	19.0	33.0
3	欧阳柳章	华南理工大学机电工程系	39	321	10.0	17.0
4	骆灼旋	华南理工大学机电工程系	10	136	5.0	10.0