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摘要:
将谷胱甘肽自组装在金电极表面,在表面活性剂存在下,以铁氰化钾及苯醌作为探针,用循环伏安法研究了修饰在金电极表面的谷胱甘肽单分子膜的电化学行为.实验发现在阳离子表面活性剂作用下,谷胱甘肽膜存在离子门行为,修饰电极表面的电子传输随阳离子表面活性剂浓度的增加而增加.阴离子表面活性剂对氧化还原探针在修饰电极上的电化学响应显示出一定的抑制作用.
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文献信息
篇名 表面活性剂作用下谷胱甘肽单分子膜的离子门响应
来源期刊 高等学校化学学报 学科 化学
关键词 表面活性剂 谷胱甘肽 自组装单分子层膜 离子门效应
年,卷(期) 2000,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1552-1554
页数 3页 分类号 O657.1
字数 2087字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0251-0790.2000.10.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王俊 武汉大学化学与环境科学学院 50 269 9.0 15.0
2 曾百肇 武汉大学化学与环境科学学院 31 300 10.0 16.0
3 周性尧 武汉大学化学与环境科学学院 16 196 6.0 14.0
4 方程 武汉大学化学与环境科学学院 14 118 5.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
表面活性剂
谷胱甘肽
自组装单分子层膜
离子门效应
研究起点
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研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高等学校化学学报
月刊
0251-0790
22-1131/O6
大16开
长春市吉林大学南湖校区
12-40
1980
chi
出版文献量(篇)
11695
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9
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133912
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