烧成温度对SiC多孔陶瓷的影响

• 作者: 刘俊峰 卢红霞 张锐 符水龙 许红亮 赵宏伟
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 烧成温度 强度 粘度 晶界相 结合剂
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究工作快报
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 2037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2000.05.009

摘要

选用SiC作为骨料,低熔点陶瓷结合剂和活性C作为成孔剂,对不同的烧成温度下多孔陶瓷的基本性能进行了研究.温度的提高使SiC多孔陶瓷的气孔率增大,气孔形状逐渐呈不规则变化,晶界玻璃相对SiC颗粒的润湿以及在SiC颗粒表面的扩展作用增强,提高了对骨料颗粒的粘结作用,使瓷体强度提高,但晶界玻璃相自身结合强度降低;气孔通道在1240℃烧成温度下多为贯通型,1280℃呈网状分布,1320℃下多为贯通型且存在大量交联通道;大于1300℃烧成时,由于SiC的高温氧化产物参与晶界相反应,使局部界面结合强度大大提高,出现SiC颗粒拔出断裂现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊峰		1	9	1.0	1.0
2	赵宏伟		1	9	1.0	1.0