用于Si1-xGex异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉

• 作者: 严军 洛红 谢自力 过海洲 陈桂章
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-xGex 异质结 高真空化学汽相外延
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 54-56,59
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.03.016

摘要

研制出满足Si1-xGex异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理,并且给出了利用该设备生长Si1-xGex异质薄膜的实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢自力		11	34	4.0	5.0
2	陈桂章		3	8	1.0	2.0
3	洛红		2	8	1.0	2.0
4	过海洲		1	1	1.0	1.0
5	严军		3	8	1.0	2.0