多量子阱半导体激光器的瞬态响应特性分析

• 作者: 朱敬宜
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱激光器 瞬态响应 增益饱和 最佳阱数
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 366-368
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.05.018

摘要

根据光增益与载流子密度的对数关系,在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子复合项,通过适应于多量子阱激光器的速率方程,从理论上证明了短腔结构存在与阈值电流最小值对应的最佳阱数.给出了多量子阱激光器的瞬态响应特性的直接仿真结果及相图,分析了注入电流、阱数和腔长对其激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱敬宜	青海师范高等专科学校物理系	1	2	1.0	1.0