硅片表面微粗糙度的研究进展

• 作者: 储佳 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光硅片 微粗糙度 RCA清洗工艺
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3006字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.05.006

摘要

硅表面微粗糙度对于现代微电子工艺是一个非常重要的参数.本文综述了硅片表面微粗糙度的研究进展,讨论了微粗糙度的测量和产生机理,指出硅片表面微粗糙度主要受RCA清洗工艺,尤其是APM清洗的影响,但可以通过降低氨水含量得以抑制;另外,去离子水漂洗、空气中的水汽、硅表面的微观缺陷等都会影响微粗糙度,而这些也有相应的措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	储佳	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	5	66	3.0	5.0