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摘要:
建立了功率MOS器件单粒子烧毁、栅穿效应的等效电路模型,介绍了模型参数提取方法.采用PSPICE电路模拟程序,对单粒子烧毁、栅穿效应机理进行了模拟和分析,建立了利用Cf-252裂片源模拟空间重离子单粒子烧毁、栅穿效应的测试装置.实验结果表明,本文建立的模拟方法、测试系统和实验方法是可行的和可靠的.
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文献信息
篇名 单粒子烧毁、栅穿效应的电路模拟与测试技术
来源期刊 电力电子技术 学科 工学
关键词 电路模拟 测试技术/功率MOS器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿
年,卷(期) 2000,(4) 所属期刊栏目 器件与测试
研究方向 页码范围 56-59
页数 4页 分类号 TN7
字数 2628字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-100X.2000.04.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐本奇 32 248 9.0 13.0
2 王燕萍 11 66 6.0 7.0
3 耿斌 10 60 6.0 7.0
4 杜凯 2 2 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (0)
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1986(1)
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1987(1)
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1994(1)
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1995(1)
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  • 二级参考文献(0)
2000(0)
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  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
电路模拟
测试技术/功率MOS器件
单粒子烧毁
单粒子栅穿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电力电子技术
月刊
1000-100X
61-1124/TM
大16开
西安朱雀大街94号
52-44
1967
chi
出版文献量(篇)
7330
总下载数(次)
19
总被引数(次)
63577
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