减小CMOS逻辑器件的△I噪声的方法

• 作者: 任克宁 张林昌 沙斐
• 来源期刊: 电波科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS △I噪声 馈通电流 容性负载充放电电流
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 电磁环境与电磁兼容
• 页码范围: 282-288
• 页数: 7页
• 分类号: TN911.4
• 字数: 4363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-0388.2000.03.007

摘要

通过确定CMOS逻辑器件的各种参数与馈通电流和容性负载充放电电流的定量关系,得出设计CMOS逻辑器件的各种参数以减小△I噪声,从电磁兼容的角度提出了设计CMOS器件的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沙斐	北方交通大学抗电磁干扰中心	14	119	5.0	10.0
2	张林昌	北方交通大学抗电磁干扰中心	22	354	9.0	18.0