a-Si/poly-Si叠层太阳能电池稳定性研究

• 作者: 林罡 林鸿生 段开敏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si:H光诱导性能衰退 空间电荷效应 a-Si:H隙态密度分布 Newton-Raphson解法
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 可靠性研究
• 页码范围: 50-52,56
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2049字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.016

摘要

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析.结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si:H薄膜中电场强度.在光照射下,空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si:H薄膜带来准中性区(低场"死层"),因而没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退.a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林鸿生	中国科学技术大学物理系	16	74	5.0	8.0
2	段开敏	中国科学技术大学物理系	10	50	4.0	7.0
3	林罡	中国科学技术大学物理系	5	18	2.0	4.0