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摘要:
介绍了一种利用标准单电子隧穿理论与Monte-Carlo 方法模拟二维量子点阵列的程序.数值计算结果表明,二维量子点阵在低温下有库仑充电行为,其量子功能作用使它显示出可喜的研究价值和应用前景
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文献信息
篇名 二维纳米点阵列的Monte-Carlo模拟
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 Monte-Carlo 模拟 单电子 量子点阵
年,卷(期) 2000,(8) 所属期刊栏目 原子和分子物理学
研究方向 页码范围 1453-1456
页数 4页 分类号 O4
字数 2965字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.08.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姚凯伦 华中理工大学物理系 10 281 7.0 10.0
2 胡慧芳 长沙铁道学院信息学院材料研究所 17 104 3.0 10.0
3 李义兵 长沙铁道学院信息学院材料研究所 19 37 3.0 4.0
4 何红波 长沙铁道学院信息学院材料研究所 28 66 5.0 6.0
5 周继承 长沙铁道学院信息学院材料研究所 19 27 3.0 3.0
传播情况
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引文网络
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2008(1)
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研究主题发展历程
节点文献
Monte-Carlo 模拟
单电子
量子点阵
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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174683
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