AlN基片氧化及金属化

• 作者: 唐祥云 徐忠华 李志勇 王谦 韩振宇 马莒生
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 金属化 氮化铝基片 结合强度
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-2
• 页数: 2页
• 分类号: TN45
• 字数: 1962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2000.02.001

摘要

研究了AlN陶瓷高温氧化对金属化结合强度的影响.在800℃、1 000℃、1 200℃和1 400℃下对AlN基片进行了高温处理,并用XRD和SEM分析了氧化结果.从1 200℃开始,基片表面有较明显的氧化 ,1 400℃时,基片内部氧化明显.在氧化后的AlN基片上金属化布线,发现表面轻微氧化的AlN基片和金属化强度有一些提高,但氧化过度,反而会使金属化结合强度大幅度下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马莒生	清华大学材料科学与工程系	58	894	16.0	29.0
2	徐忠华	清华大学材料科学与工程系	12	173	6.0	12.0
3	韩振宇	清华大学材料科学与工程系	7	303	6.0	7.0
4	唐祥云	清华大学材料科学与工程系	7	176	6.0	7.0
5	王谦	清华大学材料科学与工程系	14	154	4.0	12.0
6	李志勇	清华大学材料科学与工程系	3	36	2.0	3.0