纳米硅薄膜的Raman光谱

• 作者: 何宇亮 徐刚毅 李国华 王天民 王金良 郑国 马智训
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅薄膜 喇曼谱 声子限制模型
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1170-1176
• 页数: 7页
• 分类号: O433.4|TN304.1+2
• 字数: 4169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.005

摘要

通过等离子增强化学气相沉积法,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响.结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值.X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性,进一步减小声子的平均自由程,导致实验值偏离理论计算值.晶格平移对称性的破缺还体现在,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加,喇曼谱中TA、LA振动模的相对散射强度增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民	兰州大学材料科学系	140	1545	22.0	32.0
3	徐刚毅	兰州大学材料科学系	3	46	2.0	3.0
6	李国华	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	25	99	5.0	9.0
7	王金良	北京航空航天大学材料物理与化学研究中心	24	125	7.0	10.0
8	何宇亮	北京航空航天大学材料物理与化学研究中心	11	181	5.0	11.0
9	马智训	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	32	1.0	1.0
10	郑国		3	55	2.0	3.0