HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制

• 作者: 刘克岳 张健平 张学仁 王金义 赵宏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe 晶体生长 晶片处理 衬底性能
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 6233字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.02.012

摘要

阐述了CdZnTe衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性;概括了CdZnTe晶体生长的方法、原理和工艺步骤;分析了影响晶体质量(单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性)的因素,并提出了与质量相关的控制技术;介绍了CdZnTe衬底制备过程中,晶片处理的工艺和步骤(晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀);报道了目前CdZnTe晶体的性能水平、晶片处理结果和CdZnTe的应用情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘克岳		4	15	2.0	3.0
2	王金义		5	15	2.0	3.0
3	张学仁		1	12	1.0	1.0
4	赵宏		1	12	1.0	1.0
5	张健平		1	12	1.0	1.0