GIS在快速暂态过电压下的放电特性

• 作者: 张乔根 邱毓昌 陈庆国 魏新劳 麻春
• 来源期刊: 电网技术
• 学科: 工学
• 关键词: SF6间隙 绝缘子 快速暂态过电压 放电特性 气体绝缘开关装置
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 所属期刊栏目: 高电压技术
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TM595
• 字数: 2224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3673.2000.09.001

摘要

SF6气体绝缘开关装置(GIS)中的隔离开关在操作时产生的快速暂态过电压(VFTO),会造成GIS的绝缘击穿事故.对VFTO作用下的GIS击穿特性进行了研究,同时通过光电检测的方法研究了雷电冲击和快速振荡冲击电压作用下的预放电特性.实验结果表明,由金属导电微粒所导致的绝缘子表面电荷积聚是造成VFTO作用下的放电电压比雷电冲击下放电电压低的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱毓昌	西安交通大学电气学院	228	4719	36.0	54.0
2	张乔根	西安交通大学电气学院	156	1936	24.0	35.0
3	陈庆国	西安交通大学电气学院	18	320	11.0	17.0
4	魏新劳	哈尔滨工业大学电力系	6	83	4.0	6.0
5	麻春		4	72	4.0	4.0