量子阱材料盖层对结构稳定性和能带隙的影响

• 作者: 丁国庆
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 应变量子阱 表面盖层厚度 临界应变
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.015

摘要

介绍了应变量子阱材料单结点失配位错能量平衡模型;计算了一些典型量子阱结构的阱层临界应变和应变体材料的最大允许应变.报告了No.558压应变量子阱材料的实际阱层应变和No.9182材料非应变盖层对有源层带隙的影响.指出了非应变盖层对整个材料力学稳定性的提高有促进作用.初步分析了阱层临界应变的理论计算和实验结果之间差异的可能原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁国庆		11	12	2.0	3.0