高速SOI MOS器件及环振电路的研制

• 作者: 孙胜 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI MOS 高速 环振电路 研制
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 591-596
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3417字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.013

摘要

采用SOI/CMOS工艺成功地研制出沟道长度为0.8μm的SOI器件和环振电路,在5V和3V电源电压时51级环振的单门延迟时间分别为82ps和281ps,速度明显高于相应的体硅电路.由于采用硅岛边缘注入技术,寄生边缘管得到较好的抑制.对沟道宽度对SOI器件特性的影响进行了讨论.实验表明SOI器件是高速和低压低功耗电路的理想选择.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子所	78	1128	15.0	32.0
4	孙胜	北京大学微电子所	1	0	0.0	0.0