离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度

• 作者: 刘爽 宁永功 杨家德 杨忠孝 熊平 陈艾
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PtSi 肖特基二极管 势垒高度 离子注入
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1024-1027
• 页数: 4页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 2184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.10.016

摘要

PtSi肖特基二极管的势垒高度制约PtSi红外探测器的截止波长和量子效率.在PtSi/Si界面注入In+、B+，采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应，用Ar气保护热处理消除注入损伤，附加掩膜层控制离子注入深度，成功地将PtSi肖特基二极管的势垒高度降低到0.15eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘爽	电子科技大学信息材料工程学院	65	410	11.0	17.0
2	宁永功	电子科技大学信息材料工程学院	14	40	4.0	5.0
3	杨忠孝	电子科技大学信息材料工程学院	20	94	6.0	9.0
4	陈艾	电子科技大学信息材料工程学院	23	487	12.0	22.0
5	杨家德		10	119	5.0	10.0
6	熊平		21	434	5.0	20.0