UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

• 作者: 于卓 余金中 成步文 李代宗 梁骏吾 王启明 雷震霖 黄昌俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si UHV/CVD 生长 动力学
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 564-569
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.008

摘要

利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好.