GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析

• 作者: 常本康 杨伟毅 汪贵华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 砷化镓 X射线光电子能谱 层结构 热退火
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 657-661
• 页数: 5页
• 分类号: O434.13
• 字数: 2507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.006

摘要

利用变角X射线光电子能谱(XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算GaAs(100)在600-675℃热退火处理后表面组分/深度的定量变化.在GaAs表面氧化物与衬底之间存在一过渡层,即弛豫层,该层在自然情况下为富As的结构,经600℃以上的温度退火后,成为富Ga的结构.实验和计算发现该层的厚度和Ga的相对含量随退火温度增加而增大,即弛豫层中的Ga含量由53.4%变为62.1%,弛豫层厚度由1.3nm变为2.2nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	汪贵华	南京理工大学电子工程与光电技术学院	14	54	4.0	6.0
3	杨伟毅	南京理工大学电子工程与光电技术学院	5	27	4.0	5.0