旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡

• 作者: 丁勇 夏冠群 毛友德 赵建龙 赵福川
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低频振荡 沟道-衬底结 EL2碰撞电离
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1228-1230
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.016

摘要

通过测试不同旁栅电压条件下的MESFET沟道电流的低频振荡现象,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡.并从理论上探讨了出现这种现象的原因,初步认为这与沟道衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建龙	中国科学院上海冶金研究所	140	1166	18.0	26.0
2	夏冠群	中国科学院上海冶金研究所	61	307	9.0	16.0
3	丁勇	合肥工业大学应用物理系	64	1069	19.0	31.0
4	毛友德	合肥工业大学应用物理系	13	29	3.0	5.0
5	赵福川	中国科学院上海冶金研究所	5	14	2.0	3.0