阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究

• 作者: 刘键 王宝义 王辉耀 马创新 魏龙
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 正电子湮没 扫描电子显微镜 多孔硅
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 页码范围: 376-380
• 页数: 5页
• 分类号: TN304|TN304.84
• 字数: 1462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.06.006

摘要

用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明，随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大，空位缺陷增多。长寿命(正电子素)成分较少。扫描电子显微镜显示，在阳极氧化过程中有尺寸为几μm的单晶球形成。并观察到部分单晶球脱离后形成的微米坑。空位缺陷增多的原因可能是随着阳极氧化时间的延长，多孔硅结构向内层延伸增加了空位缺陷。但扫描电子显微镜的观察结果并不排除另一种可能部分表面结构的变化增大了表面层的空位缺陷浓度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘键	中国科学院高能物理研究所核分析技术开放研究实验室	28	152	8.0	11.0
2	王宝义	中国科学院高能物理研究所核分析技术开放研究实验室	69	258	9.0	12.0
3	魏龙	中国科学院高能物理研究所核分析技术开放研究实验室	50	325	10.0	16.0
4	马创新	中国科学院高能物理研究所核分析技术开放研究实验室	11	27	3.0	4.0
5	王辉耀	中国科学院高能物理研究所核分析技术开放研究实验室	1	1	1.0	1.0