ZnSe薄膜的激子光谱

• 作者: 俞根才 王兴军 盛传祥 黄大鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnSe 激子 光致发光
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1177-1182
• 页数: 6页
• 分类号: O433.1|TU304.2+2
• 字数: 4364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.006

摘要

采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从O.045到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,应变逐步弛豫.测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转,以及激子极化激元(Polariton)对反射谱的影响.也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律:束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光(I1峰)随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光(I2峰)则随着厚度增加逐渐增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王兴军	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	23	3.0	4.0
2	俞根才	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	3	18	2.0	3.0
3	盛传祥	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	1	9	1.0	1.0
4	黄大鸣	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	7	15	2.0	3.0