固体C70/Si异质结的界面电子态

• 作者: 卢殿通 吴克 周锡煌 孙文红 武兰青 陈开茅 顾镇南
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: C70 异质结 界面电子态
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 333-339
• 页数: 7页
• 分类号: O485
• 字数: 4623字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.004

摘要

用深能级瞬态谱和高频电容-电压技术研究了固体C70/Si异质结的界面电子态.研究结果表明在C70/Si的界面上明显存在三个电子陷阱Eit1(0.194)、Eit2(0.262)，Eit3(0.407)和一个空穴陷阱Hit1(0.471)，以及在C70/Si界面附近存在着固体C70的电子和空穴陷阱引起的慢界面态.结果还表明C70膜的生长温度对C70/Si的电学性质有重大影响，200℃生长的C70/Si界面远优于室温生长的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾镇南	北京大学化学系	47	888	11.0	29.0
2	周锡煌	北京大学化学系	10	119	6.0	10.0
3	卢殿通	北京师范大学低能核物理研究所	7	15	2.0	3.0
4	陈开茅	北京大学物理系	6	3	1.0	1.0
5	孙文红	北京大学物理系	4	3	1.0	1.0
6	吴克	北京大学物理系	8	15	2.0	3.0
7	武兰青	北京大学物理系	5	3	1.0	1.0