功率晶体管击穿电压与硅片电阻率的取值关系

• 作者: 李茵 陈中祥
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 开关功率晶体管 击穿电压 电阻率
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 32-33
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 1443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.03.009

摘要

介绍了用于节能灯照明电路的高耐压功率晶体管的反向击穿电压、饱和压降和开关时间等参数的设计要求.合理选用硅片单晶材料的电阻率,对器件工艺设计和制造起到了关键作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李茵		1	0	0.0	0.0
2	陈中祥		1	0	0.0	0.0