UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应

• 作者: 亓震 卢焕明 叶志镇 汪雷 章国强 袁骏 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 超高真空化学气相沉积 锗硅碳 应变补偿 外延
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 139-244
• 页数: 6页
• 字数: 3342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.006

摘要

碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变，同时调节其能带.报道了用UHV/CVD生长的掺碳达2.2％的锗硅碳合金，获得了良好的外延层质量，应变缓解效应明显.使用了X射线衍射(XRD)，二次离子质谱(SIMS)与高分辨电子透射显微镜(HRTEM)对外延层进行检测；使用傅里叶红外吸收光谱(FTIR)确定碳原子处于替代位置，并对实验结果进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁骏	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	362	10.0	18.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0
5	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
6	章国强	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	7	2.0	2.0
7	亓震	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	11	2.0	2.0
8	卢焕明	浙江大学硅材料国家重点实验室	17	361	9.0	17.0